高脉冲功率能量PLD法制备MgZnO薄膜中的沉积机理

摘要：

用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜.实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示其颗粒变大,柱状生长突出;PL谱紫峰与绿峰强度比最大,结晶质量反而提高.另一方面,与低脉冲能量时相反,增大氧气压强后高脉冲能量沉积的薄膜XRD半峰全宽变窄.结合实验现象和表征,合理解释了高脉冲能量沉积的机理.室温制备高质量MgZnO薄膜的PLD沉积机理对于以后在柔性衬底上沉积薄膜的研究有重要的参考价值.

关键词：MgZnO薄膜、脉冲激光沉积、X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱

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分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50872129,60806028;合肥工业大学博士专项基金

在线出版日期：2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：344-350