Zn,Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

摘要：

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法(USPP),对Zn,Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数.计算了掺杂AlN晶体的结合能、电子态密度、差分电荷密度,并对计算结果进行了细致的分析.计算结果表明,Cd、Zn都可以提供很多的空穴态,是良好的p型掺杂剂,但是相对于Cd, Zn原子在AlN晶体中的溶解度更大,并且可以提供更多的空穴,有利于形成更好的p型电导.

关键词：氮化铝、p型掺杂、密度泛函理论、电子结构

所属期刊栏目：30

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60877069;广东省科技计划2007A010500011,2008B010200041

在线出版日期：2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：314-320