晶格失配对InAsχP1-χ/InP发光特性的影响

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层.利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律.

关键词：InAsxP1-x/InP、低压金属有机化学气相沉积、应力、变温光致发光

所属期刊栏目：30

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点50632060

在线出版日期：2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：309-313