基片温度对PLD制备ZnO薄膜光学常数的影响

摘要：

光谱椭偏仪被用来研究用脉冲激光沉积方法在Si(100)基片上,温度分别为400,500,600,700 ℃制备的ZnO薄膜的特性.利用三层Cauchy散射模型拟合椭偏参数,计算了每个温度下制备的ZnO薄膜在400～800 nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k).发现基片温度对光学常数有很大的影响.通过分析XRD表征的晶体结构和 AFM表征的薄膜表面形貌,发现折射率的变化归因于薄膜堆积密度的变化.为了获得具有较好的光学和薄膜质量的ZnO薄膜,相比与其他沉积温度600 ℃或许是最佳的沉积温度.

关键词：光谱椭偏仪、PLD、氧化锌、光学常数

所属期刊栏目：30

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家"863"计划2007AA03Z301;国家自然科学基金60806028;the National High Technology R & D Program of China863 Program2007AA03Z301;the National Natural Science Foundation of China60806028

在线出版日期：2009-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：297-303