在磁场作用下含有杂质的半导体量子环中电子的能级
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在磁场作用下含有杂质的半导体量子环中电子的能级

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由于量子环特殊的结构,我们尝试过不少方法,发现一般传统方法很难求解薛定谔方程,故很难求出它的波函数和能级.国内外很多学者从事这方面的研究,但发表的文献非常少.有必要寻找一些新的方法从事这方面的研究工作,本文中采用了B样条函数近似拟合波函数的方法,计算了一个在谐振子束缚势和磁场作用下含有杂质的二维量子环中的电子能级.研究了电子能级随磁场强度、束缚势的变化关系以及电子能级与量子环半径的关系.我们发现电子能级随磁场强度、束缚势强度的增强而增强;每一个能级都有一个最小值在特定的量子环半径上,并且随着能级的增加,最小值的位置向半径大的方向偏移.

B样条函数、量子环、杂质、尺度效应

30

O471.5(半导体物理学)

国家自然科学基金10874122;the Foundation of National Natural Science10874122

2009-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

293-296

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1000-7032

22-1116/O4

30

2009,30(3)

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