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外电场下极性量子阱中杂质态结合能

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我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质中心同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用.我们以GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱为例,讨论了结合能随杂质位置、阱宽和电场强度的变化规律.得到了电子-声子相互作用对杂质态结合能和斯塔克效应的修正是相当明显的.

施主杂质态、电子-声子相互作用、量子阱、斯塔克效应

30

O471.3;O472.3(半导体物理学)

大连民族学院青年基金2007A210;Dalian Nationalities University Science Foundation for Youths2007A210;PhD Progress Foundation of Higher Education Institutions of China20040126003

2009-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

285-292

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1000-7032

22-1116/O4

30

2009,30(3)

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