溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

摘要：

利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO_2超晶格,热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶.通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成.

关键词：硅纳米晶、超晶格、磁控溅射、热退火

所属期刊栏目：30

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60577022

在线出版日期：2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：243-246