界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

摘要：

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命.

关键词：时间分辨克尔旋转谱、多量子阱、分子束外延、光致发光

所属期刊栏目：30

分类号：O484.1;O484.4~+1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10874212,10534030

在线出版日期：2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：214-218