带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应

摘要：

利用分子束外延技术(MBE),在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品,并制备了量子点红外探测器件.利用原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质.渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力,抑制了量子点中In组分的偏析,提高了外延层的生长质量,降低了势垒高度,使InAs量子点荧光波长红移.伏安特性曲线和光电流(PC)谱结果表明,生长条件的优化提高了器件的红外响应,具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移.

关键词：InAs量子点、InGaAs渐变层、光致发光、分子束外延、红外探测器

所属期刊栏目：30

分类号：O482.31;O484.41(固体物理学)

在线出版日期：2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：209-213