AlGaInP LED出光效率的模拟
采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率.研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近.然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反.在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导.
AlGaInP LED、出光效率、电极形状、有限元法
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TN312.8(半导体技术)
江苏省科技项目资助BG2007026
2009-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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