MOVPE 生长GaN薄膜的光致黄带发光与激发光源的相关性
用四种不同光源作为激发光源,研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光致发光特性.结果发现用连续光作为激发光源时,光致发光谱中除出现365 nm的带边发射峰外,同时观察到中心波长位于约550 nm 的较宽黄带发光;而用脉冲光作为激发光源时其发光光谱主要是365 nm附近的带边发光峰,未观察到黄带发光.氮化镓薄膜的光致发光特性依赖于所用的激发光源性质.
GaN薄膜、光致发光光谱、脉冲光源、连续光源
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O482.31(固体物理学)
博士启动基金资助项目06XLB008
2009-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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