SiO2防离子反馈膜的制备及其性能

摘要：

防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用.首先采用射频磁控溅射方法在0.5~1 μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4~6 Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜.该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%.给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线.对相同厚度为5 nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220 V和255 V的结论.结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一.为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急.

关键词：微通道板、SiO2、防离子反馈膜、电子透过特性

所属期刊栏目：29

分类号：TN146(真空电子技术)

在线出版日期：2009-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1096-1100