退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质

摘要：

用激光辐照辅助电化学刻蚀的方法加工硅锗薄膜样品,30 min后,在样品表面形成了多孔状的结构,该结构在724 nm处有很强的光致发光(PL)峰.将该多孔状结构的样品置于高温氧化炉中进行不同时间的退火氧化处理后,发现在不同的退火氧化条件下样品的PL光谱发生了明显的变化.通过分析,作者根据量子受限(QC)和量子限制-发光中心(QCLC)模型,建立了新的量子受限-晶体与氧化物界面态综合模型来解释样品PL发光的变化.

关键词：光致发光、低维纳米结构、多孔硅锗、界面态

所属期刊栏目：29

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10547006;贵州大学研究生创新基金省研理工:2007001

在线出版日期：2009-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1050-1054