Si/SiNx 超晶格材料的非线性光学特性

摘要：

采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料.利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征.通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.51×10-8 esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强.

关键词：Si/SiNx超晶格、三阶非线性极化率、Z-扫描、射频磁控反应溅射

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分类号：O437;O484.41(光学)

资助基金：国家自然科学基金60678053;国家自然科学基金重点项目60336010;国家重点基础研究发展规划973计划2007CB613401

在线出版日期：2009-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1045-1049