MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质
采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器.在3 V偏压下,器件的暗电流小于250 nA,光响应峰值在370 nm,响应度是0.34 A/W.其紫外(360 nm)与可见光(420 nm)的抑制比为4个数量级.器件的光响应时间上沿仅为20 ns.
ZnO薄膜、MSM、光导紫外探测器、射频磁控溅射
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O472.8(半导体物理学)
国家重点基金50532050;国家重点基础研究发展规划973计划2008CB307105;2006CB604906;国家自然科学基金60676059;60506014;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-07-0122
2009-02-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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