nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模

摘要：

采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒.把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd∶YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06 μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23 ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124 cm时,获得平均脉宽35 ps的锁模脉冲序列.根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能.

关键词：激光技术、nc-Si/SiNx超晶格薄膜、调Q、锁模、射频磁控反应溅射

所属期刊栏目：29

分类号：TN248.1;O484(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60678053;国家自然科学基金重点60336010;国家重点基础研究发展"973"计划2007CB613401

在线出版日期：2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：905-909