MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器

摘要：

利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255 nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10 V偏压下,器件的光响应峰值在250 nm,截止边为273 nm的MgZnO太阳盲光电探测器.

关键词：MgZnO薄膜、太阳盲光电探测器、金属有机化学气相沉积

所属期刊栏目：29

分类号：O742.8(晶体化学)

资助基金：国家重点基金50532050;国家"973"计划2008CB307105,2006CB 604906;国家自然科学基金60676059, 60506014

在线出版日期：2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：865-868