MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象.研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In-N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In-N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现.相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高.同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应.
In分凝、X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子谱、Raman散射
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O472.1(半导体物理学)
国家自然科学基金60476030,60421003,60676057;"973"专项基金2006CB604905,2006CB604907;新世纪优秀人才计划NCET-05-0445;江苏省自然科学基金BK2006126
2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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