SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响

摘要：

利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响.实验发现:经过30 mA、85 ℃、24 h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响.

关键词：蓝光LED、GaN、硅衬底、SiN、钝化、光衰

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31;O657.3(固体物理学)

资助基金：国家"863"计划纳米专项2003AA302160;国家"863"计划光电子课题2005AA311010

在线出版日期：2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：840-844