CdxZn1-xO∶Eu3+荧光粉的制备及其发光性质
采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410 nm进行调制,样品的发光以520 nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效.在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609 nm.样品380~410 nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长.因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料.
CdxZn1-xO:Eu3+、稀土、白光LED、荧光粉
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O482.331(固体物理学)
国家自然科学基金10504031, 10574128;国家"973"课题2006CB601104;国家"863"课题2006AA03A138
2008-12-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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805-808