改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真

摘要：

p-type 技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程.基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上.改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT.本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性.利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作.

关键词：移位寄存器、p沟道技术、多晶硅薄膜晶体管、有源OLED、HSPICE仿真

所属期刊栏目：29

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：吉林省科技发展计划基金20050515;珠海市科技发展计划PC20051011,PC20061009;国家自然科学基金60476024资助项目 Projected supported by the Jilin Science and Technology Development Foundation of China20050515;the Science and Technology Development Plan of ZhuhaiPC20051011,C20061009;the National Natural Science Foundation of China60476024

在线出版日期：2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：795-799