三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构

摘要：

GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构.实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征.利用原子力显微镜表征了样品的(001)面;通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的(002)面作ω/2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量;利用X射线衍射对InGaN/GaN 和AlInGaN/GaN这两种量子阱的(002)、(101)、(102)、(103)、(104)、(105)和(201)面做ω扫描,进而得到其摇摆曲线.最后利用PL谱研究了它们的光学性能.通过这些显微结构的分析和研究,揭示了InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构宏观性质不同的结构因素.

关键词：AlInGaN、InGaN、量子阱、原子力显微镜

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31;O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60477011,60776042;国家重点基础研究发展计划2006CB604908,2006CB921607;"863"计划2007AA03Z403;"973"计划 2007CB307004资助项目 This project was supported by National Natural Science Foundation of China60477011,60776042;National Basic Research Program of China2006CB604908,2006CB921607;the National High Technology Program of China2007AA03Z403;"973"Project2007CB307004

在线出版日期：2008-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：789-794