太阳盲MgZnO光电探测器

摘要：

利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构.在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm.

关键词：MgZnO合金薄膜、太阳盲光电探测器、射频磁控溅射

所属期刊栏目：29

分类号：O742.8(晶体化学)

资助基金：国家重点基金50532050;国家"973"计划2008CB307105, 2006CB 604906;国家自然科学基金60676059, 60506014

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：743-746