表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响

摘要：

利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响.实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强峰在547 nm,而银薄膜的存在会明显降低稀土离子Tb3+的荧光寿命,其寿命的改变是由于银薄膜的表面等离激元改变了电磁场的分布,从而影响了系统的局域光模密度(PMD),理论计算的结果也验证了这一点.

关键词：光致荧光、荧光寿命、铽、表面等离激元共振

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31;O614.341;O539(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60606001;国家重点基础研究发展计划2007CB613403

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：684-688