利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

摘要：

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性.同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性.为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜.与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加.结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性.

关键词：纳米硅阵列、场发射、非晶碳

所属期刊栏目：29

分类号：O462.4;TN873.95(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金60425414;国家重大基础研究规划2007CB613401;高等学校博士点专项基金20070284020

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：573-577