n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

摘要：

结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.

关键词：场发射、电子能谱、硅微尖、电场渗透

所属期刊栏目：29

分类号：O462.4;TN873.95(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家"973"计划资助项目2003CB314702

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：557-560