生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响
采用锌粉和银粉为蒸发源,用热蒸发法不同温度下制备了四针状纳米氧化锌,并以单独的锌粉做对照.采用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌,X射线衍射(XRD)谱表征其晶体结构.采用丝网印刷方法将其制备为场致电子发射阴极,将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致电子发射特性对比实验.结果表明较高温度制备的氧化锌具有较好的场致发射性能;掺杂银粉的蒸发源制备的样品的发射性能明显优于没有掺杂银粉的样品.实验证明ZnO是一种优良的场致发射冷阴极材料,在真空电子方面具有广阔的应用前景.
氧化锌、场致电子发射、平板显示、纳米材料
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O462.4;O484.4(真空电子学(电子物理学))
国家"973"计划2003CB314702,2003CB314706;教育部博士点基金20070286054;新世纪优秀人才计划NCET-04-0473, NCET-05-0466;高等学校学科创新引智计划B07027
2008-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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551-556