纳米ZnO生长及性质分析

摘要：

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列.采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质.结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性.发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长.

关键词：ZnO’纳米柱、气-液-固/气-固生长机制、低压金属有机化学气相沉积法

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：南京大学科研基金资助项目2006CL03

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：527-531