N 掺杂ZnO薄膜的接触特性

摘要：

氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37 eV,激子束缚能为60 meV.ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景.而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆接触是必需的.研究了氮气氛条件下,不同温度快速退火对氮掺杂ZnO样品的电学性质以及Ni/Au与其接触特性的影响.原生样品表现为弱的肖特基接触,适当温度退火后,由肖特基转成了欧姆接触, 650 ℃退火后得到最小比接触电阻率8×10-4 Ω·cm2.霍尔测量表明550 ℃快速退火后,样品的导电类型由p型转变成了n型.采用AES和GXRD分别研究了不同退火温度下Au、Ni、Zn、O的深度分布变化及退火后所生成的合金相.实验结果表明,退火所导致的薄膜电学性质的变化以及界面态和表面态的增加是接触特性变化的原因.

关键词：N’掺杂ZnO、Ni/Au、快速退火、欧姆接触

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究规划2006CB921803;中国高科技发展研究项目2007AA03Z404;国家自然科学基金60776013, 60576017,50532100

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：503-507