ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性

摘要：

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理.为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测.椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高.我们对折射率的这种变化机理进行了解释.DLTS测量得到一个与Zn**i相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级.在氮气退火情况下Zn**i的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利.

关键词：氧化锌、热退火、深能级、光电特性

所属期刊栏目：29

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50472009,10474091,50532070;中科院知识创新方向性课题KJCX2-SW-04-02,KJCX3.5YW.W01

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：495-498