脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能.实验观察到了700 ℃、0.02 Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中.霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04 Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7 cm2/V· s以上.实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性.

关键词：氧化锌、磁性、Co掺杂、脉冲激光沉积

所属期刊栏目：29

分类号：O472.5(半导体物理学)

资助基金：国家"973"计划2006CB604906;国家自然科学基金50532060,50772099

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：486-490