氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性

摘要：

采用气体反应电子束蒸发法,氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌(ZnO)薄膜.AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高,且随氨气压的增加粗糙度也随之增加,这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关,但表面依然比较平整.XRD分析显示,(0002)衍射峰位没有发生移动,但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加,衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0.261°增加到0.427°.氧化锌掺氮后电阻率提高了4～7个数量级,达到了降低ZnO中电子浓度的目的.

关键词：氮掺杂氧化锌薄膜、原子力显微镜、X射线衍射、光致发光光谱、电阻率

所属期刊栏目：29

分类号：O472.4;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家"973"计划2006CB04906;国家自然科学基金6067003;浙江省自然科学基金2406092

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：465-469