P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制

摘要：

利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜.通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性.对载流子浓度拟合的结果表明氮受主具有75 meV的能级深度.通过对各种散射机制下迁移率的讨论,发现由晶粒及其晶界组成的这种结构极大地降低了p型ZnO中载流子的迁移率.

关键词：氧化锌、p型掺杂、散射机制、P-MBE

所属期刊栏目：29

分类号：O472.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点基金60336020,50532050;国家"973"计划2006CB60406

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：437-440