Si/SiNx/SiO2 多层膜的光致发光

摘要：

采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究.用260 nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392 nm(3.2 eV)和670 nm (1.9 eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光.PL谱中只有370 nm(3.4 eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370 nm发光与低价氧化物-SiOx(x＜2.0)结合体有密不可分的关系.当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800 ℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si-N网络,能够得到更高效的光致发光.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型.

关键词：Si/SiNx/SiO2多层膜、红外吸收、光致发光

所属期刊栏目：29

分类号：O82.31

资助基金：四川省青年科技基金08JJ0025;教育部留学回国人员科研启动基金教外司留[2007]1108;四川师范大学校科研和教改项目

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：363-370