GaN发光二极管表观电阻极值分析

摘要：

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象.利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点.通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQdU＜0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式.表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性.

关键词：GaN发光二极管、表现电阻、正向交流(ac)小信号方法、I-V特性曲线

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31;TN312.8(固体物理学)

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：337-341