高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极.和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成.对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量.芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5 V;当工作电压达到3 V时,工作电流为500 mA;在工作电流为350 mA时,峰值波长为635 nm,半峰全宽为16.4 nm,光强为830 mcd.在色度学测试中,色坐标为x=0.694 3,y=0.305 6,显色指数为18.4.因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点.
LED、InGaAlP、湿法腐蚀、p型欧姆接触
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O48231;TN321(固体物理学)
超高亮度发光二极管外延片、功率型芯片产业化及应用示范工程资助项目06FZZDGX01800
2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
330-336
