GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

摘要：

从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAa/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3～20 nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂.在4,20,40,80,120 K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好.

关键词：量子限制效应、δ-掺杂、GaAs/AlAs多量子阱、光致发光谱

所属期刊栏目：29

分类号：O472.3;O482.31;TN304.23(半导体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金2006ZA10001

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：156-160