低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响

摘要：

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜.为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜.通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变.利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高.这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善.

关键词：氧化锌薄膜、MOCVD、低温缓冲层、XRD、SEM

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA311130

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：124-128