抛物量子点中弱耦合激子的光学声子平均数

摘要：

研究了电子-体纵光学声子弱耦合情况下,抛物量子点中激子的性质.在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合激子的基态能量和光学声子平均数.以GaAs半导体为例进行了数值计算,结果表明:弱耦合情况下,激子的光学声子平均数基态的能量和量子点受限强度的增大而减小,随量子点半径的增大而增大.

关键词：量子点、激子、光学声子平均数、弱耦合

所属期刊栏目：29

分类号：O469;O472.3(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：河北科技师范学院校科研和教改项目2006D001;10747002;Doctor of Hebei Normal University of Science and Technology200613001;10747002

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4