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聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性

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通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺和去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料.使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析方法对ZnSe/聚丙烯腈复合材料进行表征.结果表明,ZnSe/聚丙烯腈复合材料的形貌较复杂,既有直径10~100 nm,长度50~500 nm的纳米棒,也存在4~10 μm左右的ZnSe微米花.260 nm波长光激发下ZnSe/聚丙烯腈复合材料的发射光谱包括位于351 nm(3.55 eV)的弱近紫外激子峰和位于427 nm(2.91 eV)的宽谱带缺陷发光峰,二者相对于ZnSe晶体的本征发射带468 nm均有明显的蓝移效应.

ZnSe纳米晶、聚丙烯腈、静电纺丝、光致发光

28

O482.31(固体物理学)

国家自然科学基金20776034

2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

760-763

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发光学报

1000-7032

22-1116/O4

28

2007,28(5)

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