不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质

摘要：

利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光.稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时,宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应.通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布[1].

关键词：S-K模式、自组织生长、CdSe量子点、发光

所属期刊栏目：28

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50672030

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：724-729