多孔硅锗的制备及其近红外发光增强
用激光照射辅助电化学刻蚀硅锗合金样品能够形成多种低维纳米结构.在硅锗合金上形成的多孔状结构在波长为725 nm处有很强的光致发光(PL)峰,PL的增强效应不能单独用量子受限模型来解释.我们提出新的模型来解释这种低维纳米结构的PL增强效应.
多孔硅锗、低维纳米结构、PL增强、界面态
28
O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金10547006
2007-09-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
585-588
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多孔硅锗、低维纳米结构、PL增强、界面态
28
O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金10547006
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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