C+注入a-SiNx:H薄膜的微结构及光发射的研究

摘要：

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱(XPS)及 X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变.

关键词：SiCN、C+离子注入、高温退火、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)

所属期刊栏目：28

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：中国科学院院长基金936

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：579-584