ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

摘要：

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火处理.X 射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800 ℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好.扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高.光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低.

关键词：ZnO、钒掺杂、光致发光、溶胶-凝胶法、薄膜

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分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：河南省高校创新人才培养项目2002006;河南省高校杰出科研创新人才工程项目0421001500

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：561-565