退火对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响

摘要：

用脉冲激光沉积(PLD)技术以多孔硅(PS)为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光(PL)光谱.结果发现,ZnS/PS复合体系的PL光谱中PS的发光峰位相对于新制备的PS有所蓝移.把该ZnS/PS样品分成三块,在真空400 ℃分别退火10,20,30 min,研究不同退火时间对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响.发现退火后样品的PL光谱中都出现了一个新的绿色发光带,归结为ZnS的缺陷中心发光.随着退火时间的延长,PS的发光强度逐渐降低且峰位红移.把ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系在可见光区450～700 nm形成一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.

关键词：光致发光、白光、退火、ZnS薄膜、多孔硅

所属期刊栏目：28

分类号：O482.31;O484.41(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：541-545