基于接触势差法的表面功函数测试装置

摘要：

利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置.基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数.此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成.能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数.我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据.

关键词：功函数、接触势差、ITO、有机电致发光

所属期刊栏目：28

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90201034;60477014;60577041;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613400

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：505-509