电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

摘要：

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在《111》面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.

关键词：单晶LaB6、场发射阵列、电化学刻蚀、各向异性

所属期刊栏目：28

分类号：O462.2;TN873+.95(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：429-432