半导体薄膜场发射中的膜厚影响

摘要：

考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响.结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减.

关键词：场发射膜厚影响、有效隧穿势垒面积、散射衰减

所属期刊栏目：28

分类号：O462.4;TN873.95(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金10604001;北京市自然科学基金4073029;北京市属市管高校人才强教计划;北京工业大学校科研和教改项目

在线出版日期：2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：256-262