GaN发光二极管表观电容极值分析

摘要：

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象.正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显.测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容.发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性.

关键词：GaN发光二极管、负电容、正向交流(ac)小信号方法、可变电容、极值

所属期刊栏目：28

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：湖南省教育厅科研项目

在线出版日期：2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：237-240