DPVBi的厚度和发光位置不同对有机电致发光器件性能的影响

摘要：

通过调整发光层DPVBi的厚度和在器件中的位置,在同一实验条件下设计了不同的器件结构,制备了有机电致发光器件,在实验中可看到DPVBi的厚度不同,器件的色度发生了改变,并且发现DPVBi在器件的不同位置,器件的发光特性也是不同的.通过实验可以得知处于器件不同位置的DPVBi,其发光机理是不同的,这是由于DPVBi和Alq3的最高未占有轨道(HOMO)能级相差不多,而它们的最低占有轨道(LUMO)能级相差0.4 eV,这样DPVBi的存在有利于电子的注入,同时由于rubrene和DPVBi的HOMO相差O.5 eV,这样空穴和电子就在rubrene和DPVBi的界面处形成激子复合而发光.也就是说,在rubrene之后的DPVBi对空穴有了阻挡作用,使器件中的空穴和电子达到平衡.通过改变DPVBi的厚度,制备了白光器件,这组白光器件,在7～17 V变化范围内器件的色坐标从(O.35,O.37)到(O.33,0.35)变化不大,接近白光等能点(O.33,O.33),是色度比较好的器件.

关键词：有机电致发光器件、发光层的厚度和位置、性能

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分类号：TN381.1;TN873.3(半导体技术)

资助基金：吉林省科技发展计划20050523;吉林省教育厅科研项目吉教科合字[2003]第25号;吉林省教育厅科研项目吉教科合字[2004]第54号;河南省南阳市科技局资助项目四科合字第20030017号

在线出版日期：2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：189-192